Fotodiodo

Light sensor Photometry Semiconductor Optoelectronics

Fotodiodo – Sensor de luz semiconductor

Un fotodiodo es un sensor de estado sólido basado en semiconductores, diseñado para convertir la luz en una corriente eléctrica con una velocidad, precisión y linealidad excepcionales. Los fotodiodos desempeñan un papel fundamental en la fotometría—la ciencia de la medición de la luz—además de en comunicaciones por fibra óptica, detección ambiental, diagnóstico médico e investigación científica.

¿Cómo funciona un fotodiodo?

En el núcleo de un fotodiodo hay una unión entre dos regiones semiconductoras dopadas de forma diferente—comúnmente una estructura PN o PIN (tipo p, intrínseca, tipo n). Cuando los fotones inciden sobre la región de agotamiento (el área cerca de la unión donde los portadores de carga están agotados), su energía genera pares electrón-hueco. El campo eléctrico incorporado separa rápidamente estos portadores: los electrones son atraídos hacia el lado n, los huecos hacia el lado p, lo que resulta en una fotocorriente medible. Este proceso está gobernado por el efecto fotoeléctrico interno.

Los fotodiodos suelen operar en polarización inversa (donde el lado p se conecta al terminal negativo y el lado n al positivo), lo que ensancha la región de agotamiento, reduce la capacitancia y mejora la velocidad de respuesta. En algunas aplicaciones de precisión, pueden emplearse en modo de cero polarización (modo fotovoltaico).

Parámetros clave y métricas de rendimiento

1. Eficiencia cuántica (QE)

La eficiencia cuántica es la proporción de portadores de carga recogidos respecto a los fotones incidentes, expresada como porcentaje. Refleja cuán eficientemente un fotodiodo convierte la luz en corriente eléctrica y varía según la longitud de onda. Los fotodiodos de silicio pueden alcanzar valores de QE de 80–95% en el espectro visible. Una alta QE es vital para la sensibilidad en baja iluminación y mediciones fotométricas precisas.

2. Responsividad

La responsividad (A/W) cuantifica la fotocorriente generada por unidad de potencia óptica incidente a una longitud de onda dada. Se relaciona directamente con la eficiencia cuántica y es crucial para determinar cuánta señal eléctrica producirá un fotodiodo para una cantidad de luz determinada. Los fotodiodos de silicio típicos tienen una responsividad máxima de alrededor de 0,6 A/W a 900 nm.

3. Corriente de oscuridad

La corriente de oscuridad es la corriente de fuga presente incluso en completa oscuridad, originada por portadores generados térmicamente y fuga superficial. Es una fuente de ruido y limita la sensibilidad, especialmente en aplicaciones de baja iluminación. Los fotodiodos de calidad presentan corrientes de oscuridad tan bajas como unos pocos picoamperios.

4. Rango dinámico lineal (LDR)

El LDR define el rango de intensidades de luz en el que la salida es linealmente proporcional a la luz incidente. Expresado en decibelios (dB), un LDR alto (a menudo >120 dB para fotodiodos PIN) garantiza una medición precisa desde luces muy débiles hasta muy intensas.

5. Potencia de ruido equivalente (NEP) y detectividad (D*)

El NEP es la potencia óptica mínima necesaria para producir una señal igual al ruido RMS del dispositivo en un ancho de banda de 1 Hz. Un NEP bajo significa mejor sensibilidad. La detectividad (D*) normaliza el NEP respecto al área del dispositivo y al ancho de banda, permitiendo la comparación directa entre diferentes fotodiodos. Un D* alto indica alta sensibilidad.

6. Capacitancia de la unión

La capacitancia de la unión surge de la separación de carga en la región de agotamiento; menor capacitancia permite mayor ancho de banda y respuesta más rápida, lo que es crítico en aplicaciones de alta velocidad.

7. Resistencia de derivación

La resistencia de derivación es la resistencia a través de la unión, representando caminos de fuga no deseados. Una alta resistencia de derivación asegura bajo ruido y mejor linealidad, especialmente en operación fotovoltaica (sin polarización).

8. Área fotosensible

El área fotosensible determina cuánta luz puede captar el fotodiodo. Áreas mayores mejoran la sensibilidad pero aumentan la capacitancia, lo que puede ralentizar la respuesta.

Estructuras y materiales de fotodiodos

  • Unión PN: Simple y rentable, adecuada para aplicaciones generales.
  • Unión PIN: Incluye una capa intrínseca para mayor sensibilidad y respuesta rápida.
  • Fotodiodos de avalancha (APD): Proporcionan ganancia interna para detección en condiciones de muy baja luz.
  • Materiales: El silicio es estándar para visible y cercano al IR; el germanio y el InGaAs se utilizan para el cercano al IR y longitudes de onda de telecomunicaciones.

Ejemplos de aplicación

  • Fotometría: Usados en luxómetros, medidores de luminancia y colorímetros para igualar la respuesta del ojo humano (V(λ)) en diseño y control de calidad de iluminación.
  • Comunicación por fibra óptica: Funcionan como receptores de alta velocidad para la transmisión digital de datos.
  • Diagnóstico médico: Permiten la medición precisa de la luz en instrumentos como analizadores de sangre y oxímetros de pulso.
  • Detección ambiental: Detectan niveles de luz ambiental, radiación UV o IR para monitoreo y control.
  • Investigación científica: Proporcionan detección altamente lineal y sensible en instrumentos analíticos, espectroscopía y conteo de fotones.

Región de agotamiento: función e ingeniería

La región de agotamiento es central para el funcionamiento del fotodiodo. Su ancho, determinado por los niveles de dopado y la polarización inversa, afecta la sensibilidad, velocidad y respuesta espectral. Las estructuras PIN maximizan esta región para un rendimiento óptimo, mientras que la ingeniería superficial garantiza la absorción eficiente de las longitudes de onda deseadas.

Optimización del rendimiento

Seleccionar un fotodiodo implica equilibrar parámetros:

  • Alta responsividad y QE para sensibilidad.
  • Baja corriente de oscuridad y NEP para detección en baja iluminación.
  • Alto LDR y resistencia de derivación para linealidad y precisión.
  • Baja capacitancia para aplicaciones de alta velocidad.
  • Área y respuesta espectral adecuadas para la tarea de medición.

Un diseño de circuito adecuado—utilizando amplificadores de bajo ruido, protegiendo contra fugas y adaptando la impedancia—mejora aún más el rendimiento.

Imágenes frecuentemente utilizadas

Curva típica de responsividad para un fotodiodo de silicio, con un máximo en el rango visible/NIR.

Modelo de circuito equivalente que muestra la capacitancia de la unión y la resistencia de derivación.

Resumen

Un fotodiodo es una herramienta indispensable en la medición precisa de la luz, ofreciendo una linealidad, velocidad y sensibilidad inigualables. Al comprender parámetros clave como eficiencia cuántica, responsividad, corriente de oscuridad y rango dinámico, los usuarios pueden seleccionar el fotodiodo adecuado para aplicaciones que van desde la fotometría y el análisis científico hasta las comunicaciones y la salud.

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Preguntas Frecuentes

¿Qué es un fotodiodo y cómo funciona?

Un fotodiodo es un dispositivo semiconductor que convierte la luz en una corriente eléctrica. Cuando los fotones inciden en su región de agotamiento, generan pares electrón-hueco. El campo eléctrico incorporado separa estos portadores, produciendo una corriente proporcional a la intensidad de la luz incidente. Los fotodiodos se utilizan ampliamente para la medición precisa y rápida de la luz en aplicaciones como la fotometría, la comunicación por fibra óptica y la detección científica.

¿Cuáles son los principales tipos de fotodiodos?

Los dos tipos más comunes son los fotodiodos de unión PN y PIN. Los fotodiodos PIN, que cuentan con una capa intrínseca (no dopada) entre las regiones P y N, ofrecen mayor sensibilidad y velocidad gracias a una región de agotamiento más amplia. Los fotodiodos especializados, como los fotodiodos de avalancha (APD), proporcionan ganancia interna para detectar niveles de luz extremadamente bajos.

¿Qué parámetros son los más importantes al seleccionar un fotodiodo?

Los parámetros clave incluyen la responsividad (cuánta corriente se produce por unidad de potencia óptica), eficiencia cuántica (eficiencia de conversión de fotones en electrones), corriente de oscuridad (corriente de fuga en ausencia de luz), rango dinámico lineal (rango de intensidades de luz con salida lineal), potencia de ruido equivalente (NEP), detectividad (D*), capacitancia de la unión, resistencia de derivación y el tamaño del área fotosensible. La elección óptima depende del nivel de luz, la velocidad y los requisitos de precisión de su aplicación.

¿Cómo afecta la eficiencia cuántica al rendimiento de un fotodiodo?

La eficiencia cuántica (QE) mide el porcentaje de fotones incidentes que se convierten en portadores de carga y se recogen. Una alta QE significa que más luz se convierte en señal eléctrica, mejorando la sensibilidad. La QE varía según la longitud de onda, por lo que es importante ajustarla al rango espectral objetivo para mediciones fotométricas precisas.

¿Por qué es importante la corriente de oscuridad en aplicaciones con fotodiodos?

La corriente de oscuridad es la pequeña corriente presente en un fotodiodo incluso sin luz, principalmente debido a portadores generados térmicamente. Una alta corriente de oscuridad aumenta el ruido y limita la sensibilidad, especialmente en aplicaciones de baja iluminación. Seleccionar dispositivos con baja corriente de oscuridad y usar enfriamiento o encapsulados especiales puede minimizar su impacto.

¿Qué es el rango dinámico lineal (LDR) de un fotodiodo?

El LDR define el rango de intensidades de luz en el que la salida del fotodiodo permanece linealmente proporcional a la potencia óptica incidente. Un LDR alto permite una medición precisa desde luces muy débiles hasta muy intensas. Los fotodiodos PIN de silicio de alta calidad pueden alcanzar LDR superiores a 120 dB, adecuados para un amplio espectro de condiciones lumínicas.

¿Cómo influye la capacitancia de la unión en el rendimiento del fotodiodo?

La capacitancia de la unión, determinada por el ancho de la región de agotamiento y el área del dispositivo, afecta la velocidad y el ancho de banda de un fotodiodo. Menor capacitancia permite una respuesta más rápida y mayor ancho de banda, lo cual es crítico en aplicaciones de alta velocidad como receptores de fibra óptica o medición de luz pulsada.

¿Qué es la detectividad (D*) y por qué es útil?

La detectividad (D*) es una medida normalizada de la sensibilidad de un fotodiodo, teniendo en cuenta el área del dispositivo y el ancho de banda. Permite la comparación entre diferentes tamaños y tipos de sensores. Valores más altos de D* indican una mejor capacidad para detectar señales de luz muy débiles, lo cual es especialmente importante en aplicaciones científicas y de baja iluminación.

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